سامسونج تبدأ الإنتاج الضخم لأول حل تخزين eUFS 3.0 بسعة 512 جيجابايت في العالم

لقد مرت أيام فقط منذ إعلان Samsung عن سلسلة Samsung Galaxy S10 القادمة ، الشركة مستعدة لتقديم إفصاح آخر من شأنه أن يأخذ عالم الهاتف المحمول خطوة. نحن نشير إلى أول وحدة تخزين eUFS 3.0 بسعة 512 جيجابايت والتي تعد بتقديم أداء لا تشوبه شائبة على الجيل السابق من التخزين.

بدأت شركة Samsung في الإنتاج الضخم لرقائق eUFS 3.0 الجديدة بسعة 512 جيجابايت ، ووفقًا للتقارير الواردة ، فإن الإنتاج يتفوق أيضًا على شرائح eUFS 2.1 المزدوجة. ذهب نائب الرئيس التنفيذي لمبيعات وتسويق الذاكرة لشركة Samsung Electronics خطوة إلى الأمام قائلاً المعيار الجديد يلحق أخيرًا بعالم اليوم الذي يهيمن عليه أداء أجهزة الكمبيوتر المحمولة فائقة النحافة قدرات.

تتمتع ذاكرة eUFS 3.0 الجديدة بسعة 512 جيجا بايت بالقدرة على تكديس ثمانية من الجيل الخامس من الجيل الخامس بسعة 512 جيجا بايت NAND مع الاستفادة الكاملة من وحدة التحكم التي توفر أداءً عاليًا. لديه القدرة على قراءة سرعات تصل إلى 2100 ميجابايت / ثانية ، وهو ضعف السرعة التي توفرها رقائق eUFS 2.1 الحالية. في الحقيقة ، فإن سرعة القراءة أسرع أربع مرات من واجهة SATA التي تعمل على محركات أقراص الحالة الصلبة. من المتوقع أن تكون سرعات الكتابة حوالي 410 ميجابايت / ثانية ، وهذا أيضًا في نفس ملعب SATA SSDs.

حتى IOPS يبدو أنه يحتوي على بعض التحسينات مثل 63000 قراءة IOPS عشوائية و 68000 قراءة IOPS عشوائية. هذا ما يقرب من 630 مرة أسرع بكثير من بطاقة microSD.

بصرف النظر عن رقائق 512 جيجا بايت ، سامسونج مشغولة أيضًا بإنتاج شريحة 128 جيجا بايت كما أنها تخطط لبدء تصنيع رقائق 256 جيجا بايت و 1 تيرا بايت بحلول بداية النصف الثاني من عام 2019.

مصدر

هذه مونيندرا راثور ، من عشاق التكنولوجيا. أحب إطلاع نفسي على أحدث التقنيات ، وخاصة الهواتف الذكية والبرامج. لدي أيضًا اهتمام كبير بالتصوير واللياقة البدنية ومشاركة المعرفة.