Samsung beginnt mit der Massenproduktion der weltweit ersten 512 GB eUFS 3.0-Speicherlösung

Es ist erst ein paar Tage her, seit Samsung die kommende Samsung Galaxy S10-Serie angekündigt hat. Das Unternehmen ist bereit, eine weitere Offenlegung vorzunehmen, die die mobile Welt in seinen Bann ziehen wird schreiten. Wir verweisen auf den ersten 512 GB eUFS 3.0-Speicher, der eine einwandfreie Leistung gegenüber dem Speicher der vorherigen Generation verspricht.

Samsung hat mit der Massenproduktion der neuen 512 GB eUFS 3.0-Chips begonnen. Berichten zufolge übertrifft die Produktion die eUFS 2.1-Chips auch in zweifacher Hinsicht. Der Executive Vice President für Speicherverkauf und -marketing bei Samsung Electronics ging einen Schritt voraus Der neue Standard hat endlich die heutige Welt eingeholt, die von der Leistung ultraschlanker Laptops dominiert wird Fähigkeiten.

Der neue 512 GB eUFS 3.0-Speicher bietet die Möglichkeit, acht der 512 GB V NAND-Chips der fünften Generation zu stapeln und gleichzeitig den Controller zu nutzen, der eine hohe Leistung bietet. Es kann Lesegeschwindigkeiten von bis zu 2.100 MB / s lesen, was der doppelten Geschwindigkeit entspricht, die die aktuellen eUFS 2.1-Chips liefern. Tatsächlich ist die Lesegeschwindigkeit viermal schneller als die auf SSDs ausgeführte SATA-Schnittstelle. Die Schreibgeschwindigkeiten werden voraussichtlich bei etwa 410 MB / s liegen, auch im gleichen SATA-SSD-Stadion.

Sogar das IOPS scheint einige Verbesserungen zu haben, wie 63.000 zufällige IOPS-Lesevorgänge und 68.000 zufällige IOPS-Lesevorgänge. Das ist fast 630-mal viel schneller als die microSD-Karte.

Neben den 512-GB-Chips ist Samsung auch mit der Produktion des 128-GB-Chips beschäftigt und plant, die Herstellung der 256-GB- und 1-TB-Chips Anfang der zweiten Jahreshälfte 2019 aufzunehmen.

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