Samsung comienza la producción en masa de la primera solución de almacenamiento eUFS 3.0 de 512 GB del mundo
Noticias / / August 05, 2021
Han pasado pocos días desde que Samsung anunció sobre su próxima serie Samsung Galaxy S10, la compañía está lista para hacer otra divulgación que llevará al mundo móvil en su paso. Apuntamos hacia el primer almacenamiento eUFS 3.0 de 512 GB que promete ofrecer un rendimiento impecable sobre el almacenamiento de la generación anterior.
Samsung ha comenzado la producción en masa de los nuevos chips eUFS 3.0 de 512 GB y, según los informes en, la producción también está superando a los chips eUFS 2.1 en dos. El vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memorias de Samsung Electronics dio un paso adelante al decir el nuevo estándar finalmente se ha puesto al día con el mundo actual dominado por el rendimiento de las laptops ultradelgadas habilidades.
La nueva memoria eUFS 3.0 de 512 GB tiene la capacidad de apilar ocho de las matrices V NAND de 512 GB de quinta generación mientras aprovecha al máximo el controlador que ofrece un alto rendimiento. Tiene la capacidad de leer velocidades de hasta 2100 MB / s, que es el doble de la velocidad que ofrecen los chips eUFS 2.1 actuales. De hecho, la velocidad de lectura es cuatro veces más rápida que la interfaz SATA que se ejecuta en SSD. Se espera que las velocidades de escritura sean de alrededor de 410 MB / s, eso también en el mismo estadio de las SSD SATA.
Incluso las IOPS parecen tener algunas mejoras, como 63.000 IOPS leídas al azar y 68.000 IOPS leídas al azar. Eso es casi 630 veces mucho más rápido que la tarjeta microSD.
Además de los chips de 512 GB, Samsung también está ocupada produciendo el chip de 128 GB y también está haciendo planes para comenzar a fabricar los chips de 256 GB y 1 TB a principios de la segunda mitad de 2019.
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