Samsung lance la production en série de la première solution de stockage eUFS 3.0 de 512 Go au monde
Nouvelles / / August 05, 2021
Cela fait juste quelques jours que Samsung a annoncé sa prochaine série de Samsung Galaxy S10, la société est prête à faire une autre divulgation qui va emmener le monde mobile dans son foulée. Nous pointons vers le premier stockage eUFS 3.0 de 512 Go qui promet d'offrir des performances impeccables par rapport au stockage de la génération précédente.
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Samsung a commencé la production de masse des nouvelles puces eUFS 3.0 de 512 Go et, selon les rapports publiés, la production surpasse également les puces eUFS 2.1 de deux fois. Le vice-président exécutif des ventes et du marketing de la mémoire de Samsung Electronics a fait un pas en avant en disant la nouvelle norme a finalement rattrapé le monde d’aujourd’hui dominé par les performances des ordinateurs portables ultra-minces capacités.
La nouvelle mémoire eUFS 3.0 de 512 Go a la capacité d'empiler huit des matrices V NAND de 512 Go de cinquième génération tout en tirant pleinement parti du contrôleur qui offre des performances élevées. Il a la capacité de lire des vitesses allant jusqu'à 2100 Mo / s, soit deux fois la vitesse que les puces eUFS 2.1 actuelles fournissent. En fait, la vitesse de lecture est quatre fois plus rapide que l'interface SATA exécutée sur les SSD. Les vitesses d'écriture devraient être d'environ 410 Mo / s, cela aussi dans le même stade de calcul des SSD SATA.
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Même les IOPS semblent avoir des améliorations telles que 63 000 IOPS aléatoires en lecture et 68 000 IOPS aléatoires en lecture. C'est près de 630 fois beaucoup plus rapide que la carte microSD.
Outre les puces de 512 Go, Samsung est également occupé à produire la puce de 128 Go et envisage également de commencer la fabrication des puces de 256 Go et de 1 To au début du second semestre de 2019.
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