Samsung începe producția în masă a primei soluții de stocare eUFS 3.0 de 512 GB din lume

Au trecut doar câteva zile de când Samsung a anunțat despre viitoarea lor serie Samsung Galaxy S10, compania este gata să facă încă o dezvăluire care va lua lumea mobilă în ea pas. Ne îndreptăm spre primul spațiu de stocare eUFS 3.0 de 512 GB, care promite să ofere performanțe impecabile față de spațiul de stocare din generația anterioară.

Samsung a început producția în masă a noilor cipuri eUFS 3.0 de 512 GB și, conform rapoartelor din, producția depășește și cipurile eUFS 2.1. Vicepreședintele executiv de vânzări de memorie și marketing pentru Samsung Electronics a făcut un pas înainte spunând noul standard a prins în sfârșit lumea actuală dominată de performanțele ultra-subțiri ale laptopurilor abilități.

Noua memorie eUFS 3.0 de 512 GB are capacitatea de a stivui opt matrițe V NAND de 512-GB a cincea generație în timp ce profită din plin de controlerul care oferă performanțe ridicate. Are capacitatea de a citi viteze de până la 2.100 MB / s, care este de două ori mai mare decât viteza pe care o oferă actualele cipuri eUFS 2.1. De fapt, viteza de citire este de patru ori mai rapidă decât interfața SATA rulată pe SSD-uri. Viteza de scriere este de așteptat să fie de aproximativ 410 MB / s, și asta în același stadion SSD SATA.

Chiar și IOPS pare să aibă unele îmbunătățiri, cum ar fi 63.000 de citiri IOPS aleatorii și 68.000 de citiri IOPS aleatorii. Este de aproape 630 de ori mult mai rapid decât cardul microSD.

În afară de cipurile de 512 GB, Samsung este, de asemenea, ocupat cu producerea cipului de 128 GB și planifică, de asemenea, să înceapă fabricarea cipurilor de 256 GB și 1 TB până la începutul celei de-a doua jumătăți a anului 2019.

Sursă

Aceasta este Munendra Rathore, un pasionat de tehnologie. Îmi place să mă actualizez cu cele mai noi tehnologii, în special smartphone și software. De asemenea, am un interes deosebit pentru fotografie, fitness și partajarea cunoștințelor.