Как включить параметры разработчика и отладку по USB на Galaxy M10
советы и хитрости для Android / / August 05, 2021
Пользовательский ROM | CyanogenMod | Приложения для Android | Обновление прошивки | MiUi | Все стоковые прошивки | Lineage OS |
Здесь мы расскажем, как включить параметры разработчика и отладку по USB на Galaxy M10. Если вы хотите разблокировать загрузчик, установить TWRP Recovery или загрузить какие-либо приложения, это руководство очень важно.
Параметр отладки по USB по умолчанию недоступен на устройствах Android. Вы должны сначала включить параметры разработчика, чтобы получить доступ к параметрам отладки USB. Чтобы включить параметры разработчика на Galaxy M10, выполните следующие действия:
Включить параметры разработчика на Galaxy M10
- Открыть настройки
- Прокрутите вниз и нажмите на опцию об устройстве
- Нажмите на информацию о программном обеспечении
- Теперь непрерывно нажимайте на номер сборки, пока не будет включена опция разработчика.
После того, как вы выполните указанные выше действия, в меню настроек появится опция разработчика. Теперь шаги для включения отладки по USB:
Включить отладку по USB на Galaxy M10
- Открыть настройки
- Нажмите на параметры разработчика
- Теперь нажмите на переключатель рядом с USB-отладкой, чтобы включить ее.
- Это оно! Вы успешно включили отладку по USB на Galaxy M10
Я надеюсь, что это руководство было полезно для включения параметров разработчика и отладки по USB на Galaxy M10.
Технические характеристики Samsung Galaxy M10:
Samsung Galaxy M10 оснащен 6,22-дюймовым TFT-дисплеем Super PLS с разрешением экрана 720 x 1520 пикселей. Он работает на базе Octa-core 1.6 GHz Cortex-A53 Exynos 7870 Octa 14 nm. Устройство вмещает 16/32 ГБ встроенной памяти и 2/3 ГБ оперативной памяти. Поддерживается расширяемая память на 512 ГБ. Камера на этом устройстве оснащена двойной камерой 13MP + 5MP с диафрагмой f / 1.9 / 2.2 и 5-мегапиксельной камерой для селфи. Samsung Galaxy M10 работает под управлением Android 8.1 Oreo, Experience 9.5 и оснащен литий-ионным аккумулятором емкостью 3400 мАч.