Как войти в режим Fastboot на BQ Mobile BQS-4570 Drive

Здесь мы расскажем, как войти и выйти из режима быстрой загрузки на Привод BQ Mobile BQS-4570. Если вы хотите установить Custom Recovery, Stock ROM или разблокировать свое устройство, то загрузка в fastboot очень важна.

Режим быстрой загрузки также известен как режим загрузки или режим загрузчика. Это очень полезно по многим причинам. Наиболее частое использование режима быстрой загрузки - для перепрошивки разделов на вашем устройстве (обновить файловую систему flash в Android устройства). На практике он используется для прошивки образов, таких как файлы восстановления, загрузчики и ядра, на ваш компьютер. Android устройство.

Как войти в режим Fastboot на BQ Mobile BQS-4570 Drive:

На данный момент этот метод не работает на этом устройстве. Подождать нужно пару дней.

1. Прежде всего, выключите свой BQ Mobile BQS-4570 Drive.
2. Нажмите и удерживайте Увеличение громкости + кнопка питания около 10 секунд
3. Отпустите кнопку все, когда увидите экран, на котором отображается FASTBOOT

Как выйти из Fastboot на BQ Mobile BQS-4570 Drive:

• Когда вы находитесь в режиме быстрой загрузки, нажмите и удерживайте кнопку питания в течение нескольких секунд.
• Удерживайте, пока не увидите перезагрузки телефона.
• Отпустите кнопку, когда увидите логотип диска BQ Mobile BQS-4570.

Я надеюсь, что это руководство было полезным для загрузки режима быстрой загрузки на BQ Mobile BQS-4570 Drive.

Технические характеристики накопителя BQ Mobile BQS-4570:

Что касается технических характеристик, то BQ Mobile BQS-4570 Drive оснащен 4,5-дюймовым TFT-дисплеем с разрешением экрана 480 x 854 пикселей. Он работает на процессоре MediaTek MT6580M в сочетании с 1 ГБ оперативной памяти. В телефоне 8 ГБ встроенной памяти с возможностью расширения до 32 ГБ с помощью карты microSD. Камера на BQ Mobile BQS-4570 Drive оснащена 8-мегапиксельной задней камерой с двойной светодиодной двухтональной вспышкой и 5-мегапиксельной фронтальной камерой для селфи. Он снабжен съемной литий-ионной батареей емкостью 1900 мАч.