Spoločnosť Samsung zahájila masovú výrobu prvého úložného riešenia 512 GB eUFS 3.0 na svete

Je to len pár dní, čo spoločnosť Samsung oznámila svoju pripravovanú sériu Samsung Galaxy S10, Spoločnosť je pripravená zverejniť ďalšie informácie, ktoré sa zameriavajú na mobilný svet kráčať. Ukazujeme na prvé 512 GB úložisko eUFS 3.0, ktoré sľubuje bezchybný výkon oproti úložisku predchádzajúcej generácie.

Spoločnosť Samsung zahájila masovú výrobu nových čipov eUFS 3.0 s kapacitou 512 GB a podľa správ v roku 2006 dosahuje táto výroba dvojnásobne vyššiu výkonnosť ako čipy eUFS 2.1. Výkonný viceprezident pre predaj a marketing pamäte spoločnosti Samsung Electronics išiel o krok vpred nový štandard konečne dobehol dnešný svet, v ktorom dominuje výkon ultratenkých notebookov schopnosti.

Nová 512 GB pamäť eUFS 3.0 má schopnosť stohovať osem piatych generácií 512 GB V NAND matríc pri plnom využití radiča, ktorý poskytuje vysoký výkon. Má schopnosť čítať rýchlosťou až 2 100 MB / s, čo je dvojnásobná rýchlosť, akú poskytujú súčasné čipy eUFS 2.1. Skutočne je to tak, že rýchlosť čítania je štyrikrát vyššia ako v prípade SATA rozhrania bežiaceho na SSD. Očakáva sa, že rýchlosť zápisu bude okolo 410 MB / s, čo je takisto pravdepodobné pri rovnakých štandardných diskoch SATA SSD.

Zdá sa, že aj IOPS má nejaké vylepšenia, ako je 63 000 náhodných čítaní IOPS a 68 000 náhodných čítaní IOPS. To je takmer 630-krát oveľa rýchlejšie ako karta microSD.

Okrem 512 GB čipov sa spoločnosť Samsung venuje aj výrobe 128 GB čipov a taktiež plánuje zahájiť výrobu čipov 256 GB a 1 TB do začiatku druhej polovice roku 2019.

Zdroj

Toto je Munendra Rathore, technologický nadšenec. Rád sa aktualizujem o najnovšie technológie, hlavne smartphone a softvér. Mám tiež veľký záujem o fotografiu, fitnes a zdieľanie vedomostí.