Како омогућити опције за програмере и отклањање грешака путем УСБ-а на ХиСенсе Т5

Овде ћемо водити како да омогућите опције за програмере и УСБ отклањање грешака на ХиСенсе Т5. Ако желите да откључате покретачки програм, инсталирате ТВРП Рецовери или бочно учитате било коју апликацију, овај водич је веома важан.

Опција за отклањање грешака путем УСБ-а подразумевано није доступна на Андроид уређајима. Прво треба да омогућите опције програмера да бисте добили приступ УСБ опцијама за отклањање грешака. Кораци за омогућавање опција за програмере на ХиСенсе Т5 су:

Кораци за омогућавање опција за програмере и УСБ отклањање грешака на ХиСенсе Т5

Отклањање грешака путем УСБ-а мора бити омогућено да бисте повезали свој ХиСенсе Т5 са рачунаром. У савременом Андроид уређају опција отклањања грешака путем УСБ-а види се скривена унутар опција програмера. Опције за програмере и нису подразумевано омогућене. Дакле, да бисте омогућили отклањање грешака путем УСБ-а, прво ћете морати ручно да омогућите програмере на вашем ХиСенсе Т5. Кораци за омогућавање опција за програмере на ХиСенсе Т5 су:

1. Отвори подешавања
2. Превуците надоле и додирните О телефону
3. Куцните даље градити број за 5 пута
4. Добићете поруку у којој се каже опција програмера је омогућен

Једном када су омогућене опције програмера, кораци за омогућавање УСБ отклањања грешака су:

1. Отвори подешавања
2. Додирните на опција програмера
3. Укључи УСБ отклањање грешака додиром на дугме за пребацивање

Надам се да је овај водич био користан за омогућавање опција за програмере и УСБ отклањање грешака на ХиСенсе Т5.

Спецификације ХиСенсе Т5:

Говорећи о спецификацијама, ХиСенсе Т5 има 5-инчни ИПС ЛТПС екран резолуције 1280 к 720 пиксела. Покреће га МедиаТек МТ6737М процесор заједно са 1 ГБ РАМ-а. Телефон поседује 8 ГБ интерне меморије са проширивом подршком за складиштење од 32 ГБ путем мицроСД картице. Камера на ХиСенсе Т5 долази са задњом камером од 8МП са двоструким ЛЕД двоструким блицем и предњом камером од 5МП за селфие. Подржава га литијум-полимерна батерија од 2.200 мАх.